JANS1N5819UR-1全新原装原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义-中国IC网-芯三七

产品型号JANS1N5819UR-1的概述

芯片概述：JANS1N5819UR-1 JANS1N5819UR-1是一种高效、低压降的肖特基二极管，广泛用于高频开关电源、直流电机驱动和逆变器等应用领域。肖特基二极管由于其低正向电压降和快速的开关特性，成为许多电子电路设计中不可忽视的重要元件。JANS1N5819UR-1在这些应用中表现出色，为设计工程师提供了极具价值的解决方案。 JANS1N5819UR-1的详细参数 JANS1N5819UR-1的主要电气参数包括： 1. 最大反向电压（V_R）：40V 2. 正向电流（I_F）：1A 3. 正向电压降（V_F）：典型值为0.45V（在1A时）。 4. 反向恢复时间（t_rr）：特性非常优秀，不到100ns，适合高频应用。 5. 温度范围：工作温度范围为-55°C到+150°C。 6. 热阻（θ_JA）：通常165°C/W，影响二极管的热管理设计。 7. 封装类型：JANS1N58...

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• 1N5819UR-1 AND 1N6761UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV

AND JANS PER MIL-PRF-19500/586

1N5819UR

and

CDLL5817 thru CDLL5819

and

CDLL6759 thru CDLL6761

and

• 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

• HERMETICALLY SEALED

• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

• METALLURGICALLY BONDED

CDLL1A20 thru CDLL1A100

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Average Rectified Forward Current: 1.0 AMP @T

= +55°C

EC

Derating: 14 mA / °C above T

EC

= +55°C

MILLIMETERS

INCHES

DIM MIN MAX MIN MAX

D

F

2.39

0.41

4.80

2.66 .094 .105

0.55 .016 .022

5.20 .189 .205

G

G1

S

4.11 REF.

0.03 MIN.

.159 REF.

.001 MIN.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.

CDI

TYPE

NUMBER

WORKING PEAK

REVERSE

MAXIMUM REVERSE

LEAKAGE CURRENT

AT RATED VOLTAGE

FIGURE 1

MAXIMUM FORWARD VOLTAGE

VOLTAGE

V

@ 0.1A

V

@ 1.0A

VOLTS

V

@ 3.1A

I

@ +25°C

I

R

@ +100°C

RWM

F

R

DESIGN DATA

VOLTS

mA

CDLL5817

CDLL5818

CDLL5819

J,JX,JV & JS

5819UR-1

20

30

40

45

0.36

0.34

0.60

0.49

0.9

0.8

0.1

5.0

CASE: DO-213AB, Hermetically sealed

glass case. (MELF, LL41)

0.1

0.05

LEAD FINISH: Tin / Lead

CDLL6759

CDLL6760

CDLL6761

J,JX,JV & JS

6761UR-1

60

80

0.38

0.69

N/A

0.1

6.0

THERMAL RESISTANCE: (R

):

OJEC

40 ÞC/W maximum at L = 0 inch

100

0.1

6.0

THERMAL IMPEDANCE: (Z

): 12

OJX

0.10

12.0

ÞC/W maximum

CDLL1A20

CDLL1A30

CDLL1A40

CDLL1A50

CDLL1A60

CDLL1A80

CDLL1A100

20

30

0.36

0.38

0.60

0.69

0.9

N/A

0.1

5.0

POLARITY: Cathode end is banded.

40

5.0

MOUNTING SURFACE SELECTION:

The Axial Coefficient of Expansion

(COE) Of this Device is Approximately

+6PPM/°C. The COE of the Mounting

Surface System Should Be Selected To

Provide A Suitable Match With This

Device.

50

5.0

60

12.0

80

100

6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841

PHONE (978) 620-2600

WEBSITE: http://www.microsemi.com

FAX (978) 689-0803

147

CDLL5817 thru CDLL5819

and

CDLL6759 thru CDLL6761

and

CDLL1A20 thru CDLL1A100

TYPICAL REVERSE LEAKAGE CURRENT AT RATED PIV (PULSED)

10.0

1.0

CDLL5819

0.1

CDLL5818

CDLL5817

0.01

0.001

+25

+50

+75

+100

+125

T

, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

J

FIGURE 1

TYPICAL FORWARD VOLTAGE

100.0

10.0

1.0

0.1

0.01

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

V , FORWARD VOLTAGE, INSTANTANEOUS (VOLTS)

F

FIGURE 2

148

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型号:	JANS1N5819UR-1
生命周期：	Transferred
包装说明：	O-XELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-213AB
JESD-30 代码：	O-XELF-R2
元件数量：	1
端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/586F
表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END
Base Number Matches：	1

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