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  • 香港元动力半导体有限公司

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JANS1N6159产品参数
型号:JANS1N6159
生命周期:Active
IHS 制造商:SEMTECH CORP
包装说明:O-XALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.56
Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED
最小击穿电压:45.9 V
击穿电压标称值:51 V
外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:73.5 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:7.5 W
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:38.8 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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