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  • JANS1N6761UR-1图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • JANS1N6761UR-1
  • 数量27000 
  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
  • 批号23+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
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  • 集好芯城

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  • JANS1N6761UR-1
  • 数量15676 
  • 厂家MICR 
  • 封装DO-213AB 
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  • 原厂原装公司现货
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  • 麦尔集团

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  • JANS1N6761UR-1
  • 数量341 
  • 厂家MSC 
  • 封装十五周年庆典 
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  • 原装现货,可随时上门看货
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JANS1N6761UR-1产品参数
型号:JANS1N6761UR-1
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-213AA
包装说明:O-XELF-R2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.35
Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213AB
JESD-30 代码:O-XELF-R2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最大输出电流:1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/586F
最大重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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