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  • JANTX1N5299-1图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • JANTX1N5299-1
  • 数量1001 
  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装DO-7 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • JANTX1N5299-1
  • 数量27000 
  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
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JANTX1N5299-1产品参数
型号:JANTX1N5299-1
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.7
其他特性:HIGH SOURCE IMPEDANCE
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:CURRENT REGULATOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大限制电压:1.45 V
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W
参考标准:MIL-19500
标称调节电流 (Ireg):1.2 mA
表面贴装:NO
技术:FIELD EFFECT
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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