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  • JANTX1N6476US图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • JANTX1N6476US
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  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家Microsemi 
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JANTX1N6476US产品参数
型号:JANTX1N6476US
生命周期:Active
IHS 制造商:SEMTECH CORP
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.4
最小击穿电压:54 V
击穿电压标称值:54 V
外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:78.5 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-N2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/552C
最大重复峰值反向电压:51.6 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子形式:NO LEAD
端子位置:END
Base Number Matches:1
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