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产品型号JANTX1N829-1的概述

JANTX1N829-1的概述 JANTX1N829-1是一款高可靠性的两端稳压器,属于二极管系列。在航空航天、军事以及工业控制等高可靠性需求的领域常见,因其出色的电气性能和稳定性而受到广泛应用。该器件具有较高的工作温度范围和优良的耐辐射能力,特别适合应用于极端环境下的电子设备。 JANTX1N829-1的详细参数 在了解JANTX1N829-1的具体性能参数时,可以从以下几个方面入手: 1. 电流与电压: - 正向电流(IF):最大为1.0A。 - 正向电压(VF):在IF=1A时,VF通常约为0.9V。 2. 工作温度范围: - 该器件的工作温度范围广泛,通常能够在-55°C至+125°C的环境中正常工作,适合恶劣环境下应用。 3. 反向电压: - 反向电压(VR):该器件的反向电压为30V,适合用于需要较高电压的场合。 4. 封装信息: - JANT...

产品型号JANTX1N829-1的Datasheet PDF文件预览

1N821 thru 1N829A-1 DO-7  
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated  
Zener Reference Diodes  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
DESCRIPTION  
APPEARANCE  
The popular 1N821 thru 1N829 series of Zero-TC Reference Diodes  
provides a selection of both 6.2 V and 6.55 V nominal voltages and  
temperature coefficients to as low as 0.0005%/oC for minimal voltage  
change with temperature when operated at 7.5 mA. These glass axial-  
leaded DO-7 reference diodes are also available in JAN, JANTX, JANTXV,  
and JANS military qualifications. Microsemi also offers numerous other  
Zener Reference Diode products for a variety of other voltages up to 200 V.  
DO-7  
(DO-204AA)  
IMPORTANT: For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com  
FEATURES  
APPLICATIONS / BENEFITS  
JEDEC registered 1N821 thru 1N829 series  
Internal metallurgical bonds  
Double anode option with 1N822 and 1N824 selection  
Provides minimal voltage changes over a broad  
temperature range  
For instrumentation and other circuit designs  
requiring a stable voltage reference  
Reference voltage selection of 6.2 V & 6.55 V +/-5%  
Maximum temperature coefficient selections  
with further tight tolerance options at nominal of 6.35 V  
available from 0.01%/ºC to 0.0005%/ºC  
1N821, 823, 825, 827 and 829 also have military  
qualification to MIL-PRF-19500/159 up to the JANS  
level by adding JAN, JANTX, JANTXV, or JANS  
prefixes to part numbers as well as the “-1” suffix, e.g.  
JANTX1N829-1, etc.  
Radiation Hardened devices available by changing  
“1N” prefix to “RH”, e.g. RH827, RH 829, RH829A,  
etc. Also consult factory for “RH” data sheet brochure  
Military surface mount equivalents also available in  
DO-213AA with UR-1 suffix and JAN, JANTX, or  
JANTXV prefix, e.g. JANTX1N829UR-1 (see separate  
data sheet)  
Tight voltage tolerances with nominal reference  
voltages of 6.35 V available by adding tolerance  
1%, 2%, 3%, etc. after the part number for  
identification e.g. 1N827-2%, 1N829A -1%, 1N829-  
1-1%, etc.  
Flexible axial-lead mounting terminals  
Nonsensitive to ESD per MIL-STD-750 Method  
1020  
Also available in smaller axial-leaded DO-35 package  
(see separate data sheet)  
MAXIMUM RATINGS  
MECHANICAL AND PACKAGING  
Operating & StorageTemperature: -65oC to +175oC  
CASE: Hermetically sealed glass case with DO-7  
DC Power Dissipation: 500 mW @ TL = 25oC and  
maximum current IZM of 70 mA. NOTE: For optimum  
voltage-temperature stability, IZ = 7.5 mA (less than 50  
mW in dissipated power)  
(DO-204AA) package  
TERMINALS: Tin-lead plated and solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
MARKING: Part number and cathode band (except  
Solder temperatures: 260 oC for 10 s (maximum)  
double anode 1N822 and 1N824)  
POLARITY: Reference diode to be operated with  
the banded end positive with respect to the  
opposite end  
TAPE & REEL option: Standard per EIA-296 (add  
“TR” suffix to part number)  
WEIGHT: 0.2 grams.  
See package dimensions on last page  
Copyright 2003  
Microsemi  
Page 1  
10-27-2003 REV C  
Scottsdale Division  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  
1N821 thru 1N829A-1 DO-7  
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated  
Zener Reference Diodes  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25oC, unless otherwise specified  
VOLTAGE  
MAXIMUM  
EFFECTIVE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
TEMPERATURE  
STABILITY  
ZENER  
VOLTAGE  
(Note 1 and 4)  
VZ @ IZT  
ZENER  
TEST  
MAXIMUM  
REVERSE  
CURRENT  
IR @ 3 V  
ZENER  
IMPEDANCE  
(Note 2)  
JEDEC  
CURRENT  
IZT  
(VZT MAX)  
TYPE NUMBER  
(Note 1, 5 & 6)  
-55oC to +100oC  
(Note 3 and 4)  
α
VZ  
ZZT @ IZT  
VOLTS  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
6.2 – 6.9  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
6.2 – 6.9  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
mA  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
OHMS  
15  
µA  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
mV  
96  
96  
96  
48  
48  
48  
19  
19  
20  
9
%/oC  
0.01  
1N821  
1N821A  
1N822†  
1N823  
10  
0.01  
15  
0.01  
15  
0.005  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.002  
0.001  
0.001  
0.001  
0.0005  
0.0005  
1N823A  
1N824†  
1N825  
10  
15  
15  
1N825A  
1N826  
10  
15  
1N827  
15  
1N827A  
1N828  
10  
9
15  
10  
5
1N829  
15  
1N829A  
10  
5
*JEDEC Registered Data.  
†Double Anode; electrical specifications apply under both bias polarities.  
NOTES:  
1. Add a “-1” suffix for internal metallurgical bond. When ordering devices with tighter tolerances than specified for the VZ voltage nominal of  
6.35 V, add a hyphened suffix to the part number for desired tolerance, e.g. 1N827-1-2%, 1N829-1-1%, 1N829A-1%, 1N829A-1-1%, etc.  
2. Zener impedance measured by superimposing 0.75 mA ac rms on 7.5 mA dc @ 25oC.  
3. The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the diode voltage will not exceed the specified mV  
change at discrete temperature between the established limits.  
4. Voltage measurements to be performed 15 seconds after application of dc current.  
5. 1N821, 1N823, 1N825, 1N827, and 1N829 also have qualification to MIL-PRF-19500/159 by adding the JAN, JANTX, JANTXV, or  
JANS prefix to part numbers as well as the “-1” suffix; e.g. JANTX1N827-1, JANTXV1N829-1, etc.  
6. Designate Radiation Hardened devices with “RH” prefix instead of “1N”, e.g. RH829A instead of 1N829A.  
GRAPHS  
The curve shown in Figure 1 is typical of the diode series and  
greatly simplifies the estimation of the Temperature Coefficient  
(TC) when the diode is operated at currents other than 7.5mA.  
EXAMPLE: A diode in this series is operated at a current of  
7.5mA and has specified Temperature Coefficient (TC) limits of  
+/-0.005%/oC. To obtain the typical Temperature Coefficient  
limits for this same diode operated at a current of 6.0mA, the  
new TC limits (%/oC) can be estimated using the graph in  
FIGURE 1.  
At a test current of 6.0mA the change in Temperature Coefficient  
(TC) is approximately –0.0006%.oC. The algebraic sum of +/-  
0.005%oC and –0.0006%/oC gives the estimated limits of  
+0.0044%/oC and -0.0056%/oC.  
FIGURE 1  
TYPICAL CHANGE OF TEMPERATURE COEFFICIENT  
WITH CHANGE IN OPERATING CURRENT.  
Copyright 2003  
Microsemi  
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1N821 thru 1N829A-1 DO-7  
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated  
Zener Reference Diodes  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
This curve in Figure 2 illustrates the change of  
diode voltage arising from the effect of  
impedance. It is in effect an exploded view of  
the zener operating region of the I-V  
characteristic.  
In conjunction with Figure 1, this curve can be  
used to estimate total voltage regulation under  
conditions of both varying temperature and  
current.  
I – OpFerIaGtinUgRCEurr2ent (mA)  
Z
TYPICAL CHANGE OF ZENER VOLTAGE WITH  
CHANGE IN OPERATING CURRENT  
DIMENSIONS  
All dimensions in INCH  
mm  
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Microsemi  
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JANTX1N829-1产品参数
型号:JANTX1N829-1
生命周期:Transferred
IHS 制造商:AEROFLEX/METELICS INC
零件包装代码:DO-35
包装说明:O-XALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.22
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/159M
标称参考电压:6.2 V
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.031 mV/ °C
最大电压容差:4.84%
Base Number Matches:1
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