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产品型号JANTX2N3637的概述

JANTX2N3637的概述 JANTX2N3637是一款高性能的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备和系统中。该芯片主要用于功率放大器、开关电源以及其他需要处理高频率和大电流的电路。相较于传统的晶体管，MOSFET具有更快的开关速度和更低的导通损耗，使其在现代电子设计中越来越受到青睐。在军用和航天应用中，芯片的可靠性至关重要，因此JANTX2N3637在设计时考虑了这一点，增设了多项保护功能，以保证在极端环境下的稳定性和性能。这款芯片符合军用标准，确保在高温、高湿和强电磁干扰等恶劣条件下能够可靠工作。 JANTX2N3637的详细参数 JANTX2N3637的主要参数如下： - 器件类型：N沟道MOSFET - 最大漏极-源极电压（V_DS）：60V - 最大漏极电流（I_D）：15A - 最大功耗（P_D）：65W - 栅极阈值电压（V_GS(th)）：2V至4V - ...

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TECHNICAL DATA

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 357

Devices

Qualified Level

JAN

2N3634

2N3635

2N3636

2N3637

JANTX

2N3634L

2N3635L

2N3636L

2N3637L

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N3634* 2N3636*

2N3635* 2N3637*

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

140

175

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO-39* (TO-205AD)

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

140

175

5.0

1.0

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

1.0

5.0

W

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices

1) Derate linearly 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

TO-5*

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

2) Derate linearly 28.6 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

140

175

Vdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 100 Vdc

V_CB= 140 Vdc

hAdc

mAdc

I_CBO

100

10

2N3634, 2N3635

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0 Vdc

V_EB= 5.0 Vdc

hAdc

mAdc

I_EBO

50

10

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc

10

I_CEO

mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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2N3634, L, 2N3635, L, 2N3636, L, 2N3637, L JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Characteristics

ON CHARACTERISTICS (3)

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 0.1 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 1.0 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 10 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 50 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 150 mAdc, V_CE= 10 Vdc

2N3634, 2N3636

25

45

50

30

h_FE

150

300

I_C= 0.1 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 1.0 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 10 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 50 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 150 mAdc, V_CE= 10 Vdc

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10 mAdc, I_B= 1.0 mAdc

I_C= 50 mAdc, I_B= 5.0 mAdc

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10 mAdc, I_B= 1.0 mAdc

I_C= 50 mAdc, I_B= 5.0 mAdc

2N3635, 2N3637

55

90

100

60

h_FE

0.3

0.6

V_CE(sat)

Vdc

0.8

0.9

V_BE(sat)

0.65

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Forward Current Transfer Ratio

I_C= 30 mAdc, V_CE= 30 Vdc, f = 100 MHz

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

½h_fe½

1.5

2.0

8.0

8.5

Forward Current Transfer Ratio

40

80

160

320

I_C= 10 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

h_fe

h_je

Small-Signal Short-Circuit Input Impedance

I_C= 10 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz

W

100

200

600

1200

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

Small-Signal Open-Circuit Output Admittance

I_C= 10 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 1.0 kHz

Output Capacitance

V_CB= 20 Vdc, I_E= 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz

Input Capacitance

h_oe

C_obo

C_ibo

ms

pF

200

10

75

V_EB= 1.0 Vdc, I_C= 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz

Noise Figure

5.0

3.0

V_CE= 10 Vdc, I_C= 0.5 mAdc, R_g= 1.0 W

f = 100 Hz

f = 1.0 kHz

f = 10 kHz

NF

dB

SAFE OPERATING AREA

DC Tests

T_C= 25⁰C, 1 Cycle, t = 1.0 s

Test 1

V_CE= 100 Vdc, I_C= 30 mAdc

V_CE= 130 Vdc, I_C= 20 mAdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

Test 2

V_CE= 50 Vdc, I_C= 95 mAdc

Test 3

V_CE= 5.0 Vdc, I_C= 1.0 Adc

(3) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号:	JANTX2N3637
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete
IHS 制造商：	MOTOROLA INC
零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	175 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/357H
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	650 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns
Base Number Matches：	1

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