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产品型号JANTX2N3879的概述

芯片JANTX2N3879的概述 JANTX2N3879是一种高功率NPN晶体管,广泛用于射频(RF)应用和其他需要高效率和高线性度的场合。该器件被设计为能够在极端环境和高温下稳定工作,特别适用于军事、航空航天以及工业领域。JANTX2N3879属于JANTX级别的产品系列,意味着它经过特别的测试和多次筛选,可以在较为严苛的工作条件下保持良好的性能。这种晶体管通常用于功率放大器、开关电源和其他需要高可靠性的电路中。 芯片JANTX2N3879的详细参数 JANTX2N3879晶体管的主要技术参数包括以下几个方面: - 类型:NPN - 最大集电极电压 (V_CE):40V - 最大发射极电流 (I_E):1.5A - 最大功耗 (P_D):25W - 增益 (h_FE):60至180(在一定的电流范围内) - 工作温度范围:-55°C至+150°C - 封装类型:TO-220 在射频应...

产品型号JANTX2N3879的Datasheet PDF文件预览

TECHNICAL DATA  
NPN POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 526  
Devices  
Qualified Level  
JANTX  
JANTXV  
2N3879  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
75  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IB  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
120  
7.0  
5.0  
7.0  
Collector Current  
IC  
Total Power Dissipation  
@ TC = 250C (1)  
35  
W
0C  
PT  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
-65 to +200  
TJ, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
TO-66*  
(TO-213AA)  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1) Derate linearly 200 mW/0C for TC > 250C  
5.0  
R
qJC  
*See Appendix A for  
Package Outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 50 Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 100 Vdc, VBE = 1.5 Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 120 Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 7.0 Vdc  
75  
Vdc  
Vdc  
V(BR)  
CEO  
5.0  
4.0  
25  
ICEO  
ICEX  
ICBO  
IEBO  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
10  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
Page 1 of 2  
2N3879 JAN SERIES  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
ON CHARACTERISTICS (2)  
Forward-Current Transfer Ratio  
IC = 0.5 Adc, VCE = 5.0 Vdc  
IC = 4.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc  
IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
IC = 4.0 Adc, IB = 0.4 Adc  
40  
20  
12  
hFE  
80  
100  
1.2  
2.0  
1.8  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = 4.0 Adc, IB = 0.4 Adc  
Base-Emitter Voltage  
IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-Circuit  
Forward Current Transfer Ratio  
4.0  
20  
½hfe½  
IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz  
Output Capacitance  
VCB = 10 Vdc, IE = 0, 0.1 MHz £ f £ 1.0 MHz  
175  
pF  
Cobo  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-On Time  
VCC = 30 Vdc; IC = 4.0 Adc; IB = 0.4 Adc  
Turn-Off Time  
ton  
ms  
ms  
0.44  
1.2  
toff  
VCC = 30 Vdc; IC = 4.0 Adc; IB = -IB = 0.4 Adc  
SAFE OPERATING AREA  
DC Tests  
TC = +250C, 1 Cycle, t = 1.0 s  
Test 1  
VCE = 5.0 Vdc, IC = 7.0 Adc  
Test 2  
VCE = 28 Vdc, IC = 1.25 Adc  
Test 3  
VCE = 40 Vdc, IC = 500 mAdc  
Test 4  
VCE = 75 Vdc, IC = 100 mAdc  
(2) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
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120101  
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配单直通车
JANTX2N3879产品参数
型号:JANTX2N3879
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):7 A
配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):12
最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):35 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1
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