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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 北京罗彻斯特电子科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 北京杰创宏达电子有限公司

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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • ▉▉¥110元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 封装CAN 
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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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产品型号JANTX2N5416的概述

芯片JANTX2N5416的概述 JANTX2N5416是一种高性能的NPN功率晶体管,通常用于高频和高功率应用。它由多个半导体制造商生产,以保证其在航天、军事和工业设备中的可靠性。JANTX2N5416的设计目的是支持高增益和低饱和压降,因而在这些应用中表现出色。该晶体管能够在相对高的温度范围内工作,适应严酷的环境条件,广泛用于射频放大器、开关电源和其他重要电子电路中。 芯片JANTX2N5416的详细参数 1. 封装类型:JANTX2N5416通常采用TO-39封装,适合于多种应用。 2. 最大功率:该晶体管的最大功率通常在30瓦特左右,适合用于中等功率应用。 3. 电流增益(hFE):JANTX2N5416在直流工作条件下的电流增益可高达150,这意味着它能够有效地放大输入信号。 4. 集电极到发射极电压(VCE):最大值为60伏特,确保在高电压条件下的可靠性。 5. 工作频率:...

产品型号JANTX2N5416的Datasheet PDF文件预览

TECHNICAL DATA  
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 485  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
2N5415  
2N5415S  
2N5416  
2N5416S  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol 2N5415 2N5416 Units  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
200  
300  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
200  
350  
6.0  
1.0  
TO- 5*  
2N5415, 2N5416  
Total Power Dissipation @ TA = +250C  
@ TC = +250C  
0.75  
10  
W
W
0C  
PT  
Operating & Storage Temperature Range  
-65 to +200  
Top, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
17.5  
R
qJC  
2N5415S, 2N5416S  
TO-39*  
(TO-205AD)  
*See appendix A for  
1) Derate linearly 4.28 mW/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly 57.1 mW/0C for TC > +250C  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 150 Vdc  
VCE = 200 Vdc  
VCE = 250 Vdc  
VCE = 300 Vdc  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
2N5415  
2N5415  
2N5416  
2N5416  
50  
1.0  
50  
ICEO  
1.0  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 6.0 Vdc  
IEBO  
mAdc  
20  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 200 Vdc, VBE = 1.5 Vdc  
VCE = 300 Vdc, VBE = 1.5 Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 175 Vdc  
VCB = 280 Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 200 Vdc  
mAdc  
mAdc  
2N5415  
2N5416  
ICEX  
50  
50  
mAdc  
mAdc  
2N5415  
2N5416  
ICBO1  
50  
50  
2N5415  
2N5416  
ICBO2  
500  
500  
VCB = 350 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
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2N5415, 2N5416 JAN, SERIES  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)  
Characteristics  
ON CHARACTERISTICS (3)  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Forward-Current Transfer Ratio  
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc  
IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc  
Base-Emitter Voltage  
30  
15  
120  
2.0  
1.5  
hFE  
Vdc  
Vdc  
VCE(sat)  
VBE  
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short Circuit Forward  
Current Transfer Ratio  
IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 5.0 MHz  
Forward Current Transfer Ratio  
IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz  
Output Capacitance  
VCB = 10 Vdc, IE = 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz  
Input Capacitance  
3.0  
25  
15  
½hfe½  
hfe  
15  
75  
pF  
pF  
Cobo  
Cibo  
VEB = 5.0 Vdc, IC = 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-On Time  
VCC =200 Vdc, IC = 50 mAdc, IB1= 5.0 mAdc  
Turn-Off Time  
ton  
ms  
ms  
1.0  
10  
toff  
VCC = 200 Vdc, IC = 50 mAdc, IB1 = IB2 = 5.0 mAdc  
SAFE OPERATING AREA  
DC Tests  
TC = +250C; 1 Cycle; t = 0.4 s  
Test 1  
VCE = 10 Vdc, IC = 1.0 Adc  
Test 2  
VCE = 100 Vdc, IC = 100 mAdc  
Test 3  
VCE = 200 Vdc, IC = 24 mAdc  
Test 4  
VCE = 300 Vdc, IC = 10 mAdc  
2N5415  
2N5416  
(3) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
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配单直通车
JANTX2N5416产品参数
型号:JANTX2N5416
生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.74
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W4
元件数量:1
端子数量:4
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/485H
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):10000 ns
最大开启时间(吨):1000 ns
Base Number Matches:1
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  • 厂商
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