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JANTX2N6766T1产品参数
型号:JANTX2N6766T1
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:TO-254AA
包装说明:FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.82
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.065 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:S-XSFM-P3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/543
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
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