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JANTX2N6806产品参数
型号:JANTX2N6806
生命周期:Active
IHS 制造商:DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
零件包装代码:TO-3
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.67
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):66 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):6.5 A
最大漏源导通电阻:0.92 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/562
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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