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  • JANTXV1N5665A图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • JANTXV1N5665A
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  • JANTXV1N5665A/TR图
  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • JANTXV1N5665A/TR
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JANTXV1N5665A产品参数
型号:JANTXV1N5665A
生命周期:Active
IHS 制造商:SENSITRON SEMICONDUCTOR
包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
最大击穿电压:210 V
最小击穿电压:190 V
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-13
JESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W
参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:171 V
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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