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| 型号: | JANTXV1N6462US |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BODED |
| 最小击穿电压： | 6.5 V |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 11 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-MELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/551 |
| 最大重复峰值反向电压： | 6 V |
| 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
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