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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • 厂家MICROSEMI/美高森美 
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  • 现货,原厂原装假一罚十!
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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 批号2021+ 
  • 原装假一赔十!可提供正规渠道证明!
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家Microsemi 
  • 封装 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量6328 
  • 厂家MICROSEMI-美高森美 
  • 封装TO-18 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥43.9元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 厂家MOT 
  • 封装CAN/TO-3 
  • 批号2023 
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  • 深圳市意好科技有限公司

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  • 厂家CDAS/MOT/CRP 
  • 封装原厂 
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  • 中华地区销售
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  • 深圳市思诺康科技有限公司

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  • 厂家Microchip Technology 
  • 封装TO-206AA 
  • 批号23+ 
  • 晶体管
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 厂家MICROCHIP 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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  • 数量68 
  • 厂家Microchip 
  • 封装N/A 
  • 批号21+ 
  • 新到现货、一手货源、当天发货、价格低于市场
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  • 0755-82533534 QQ:287673858
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  • 深圳市中利达电子科技有限公司

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  • JANTXV2N2222AUB
  • 数量10000 
  • 厂家Microchip 
  • 封装N/A 
  • 批号24+ 
  • 原装进口现货 假一罚十
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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 数量6000 
  • 厂家MSC 
  • 封装TO-18 
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  • 原厂直供现货价优十年信誉保证每一片都来自原厂
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  • 0755-82531732 QQ:709809857
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家Microsemi 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
  • QQ:3008961396QQ:3008961396 复制
  • 0755-21008751 QQ:3008961396
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  • 深圳市赛科世纪电子有限公司

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  • 数量45800 
  • 厂家MSC 
  • 封装标准封装 
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  • 刚到原装现货,特价,13006691066
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  • 麦尔集团

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  • 原装现货,可随时上门看货
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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装N/A 
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  • 只做进口原装QQ询价,专营射频微波十五年。
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量28000 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • JANTXV2N2222A8080
  • 数量28000 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂外观 
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  • 全新原装部分现货其他订货
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产品型号JANTXV2N2222A的概述

芯片JANTXV2N2222A的概述 JANTXV2N2222A是一款广泛应用的标准NPN晶体管,属于2N2222系列。该晶体管常用于放大电路、开关电路等多种应用,因其优秀的性能特点而受到广泛青睐。JANTXV2N2222A特别设计用于高可靠性和高温环境,因此特别适合军事、航空航天以及其他要求严苛的应用场景。 该晶体管最早由Bell Labs于1962年研发,经过多年的进化与更新,JANTXV2N2222A凭借其优异的电气性能以及较高的适应性,成为许多工程师和设计师的首选元件之一。其在电力放大和电子信号处理中的应用,极大地提升了电路设计的灵活性与效率。 芯片JANTXV2N2222A的详细参数 通常情况下,JANTXV2N2222A具有以下主要参数: - 最大集电极电压(V_CEO): 40 V - 最大发射极电压(V_EBO): 6 V - 最大集电极电流(I_C): 800 mA ...

产品型号JANTXV2N2222A的Datasheet PDF文件预览

580 Pleasant St.  
Watertown, MA 02172  
PH: (617) 926-0404  
FAX: (617) 924-1235  
2N2222A  
Features  
SWITCHING  
TRANSISTOR  
JAN, JANTX, JANTXV  
·
·
·
·
Meets MIL 19500 /255  
Collector - Base Voltage 75 V  
Collector - Current 800 mA  
High Speed, Medium Current Bipolar Transistor  
SMALL SIGNAL  
BIPOLAR  
NPN SILICON  
TO-18  
COLLECTOR  
BASE  
EMITTER  
Maximum Ratings  
RATING  
SYMBOL  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
mW  
mW/°C  
WATTS  
mW/°C  
°C  
Collector - Emitter Voltage  
Collector - Base Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Collector Current -- Continuous  
Total Device Dissipation @ TA = 25 °C  
Derate above 25 °C  
Total Device Dissipation @ TC = 25 °C  
Derate above 25 °C  
50  
75  
6
800  
500  
2.85  
1.8  
10.3  
PD  
PD  
Operating Junction&Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 65 to + 200  
Thermal Characteristics  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
Rq JA  
MAX  
350  
UNIT  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
MSCO275A 01-29-98  
DSW2N2222A < - > ( 33807)  
2N2222A  
Electrical Characteristics (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
OFF CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
V(BR)CEO  
MIN  
50  
75  
6
MAX  
UNIT  
Vdc  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
( IC = 10 mA dc, IB = 0 )  
Collector - Base Breakdown Voltage  
( IC = 10 mAdc, IE = 0 )  
Emitter - Base Breakdown Voltage  
( IE = 10 mAdc, IC = 0 )  
(1)  
(1)  
(1)  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICES  
Vdc  
Vdc  
Collector - Emitter Cutoff Current  
( VCE = 50 Vdc, VBE(off) = 0 V )  
Collector - Base Cutoff Current  
( VCB = 60 Vdc, IE = 0 )  
50  
nAdc  
ICBO  
10  
10  
nAdc  
mAdc  
( VCB = 60 Vdc, IE = 0, TA = 150 °C )  
Emitter - Base Cutoff Current  
IEBO  
( VEB = 4 Vdc )  
10  
nAdc  
UNIT  
ON CHARACTERISTIC  
DC Current Gain  
SYMBOL  
hFE  
MIN  
MAX  
50  
75  
100  
100  
30  
( IC = 100 mA dc, VCE = 10 Vdc )  
( IC = 1 mA dc, VCE = 10 Vdc )  
( IC = 10 mA dc, VCE = 10 Vdc )  
( IC = 150 mA dc, VCE = 10 Vdc )  
( IC = 500 mA dc, VCE = 10 Vdc )  
325  
300  
(1)  
(1)  
35  
( IC = 10 mA dc, VCE = 10 Vdc, TJ = -55°C )  
Collector - Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
( IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc )  
( IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc )  
Base - Emitter Saturation Voltage  
( IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc )  
( IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc )  
(1)  
(1)  
0.3  
1.0  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
(1)  
(1)  
0.6  
1.2  
2.0  
Vdc  
Vdc  
1. Pulse Test: Pulse Width £ 300 ms, Duty Cycle £ 2.0%  
MSCO275A 01-29-98  
DSW2N2222A < - > ( 33807)  
2N2222A  
Electrical Characteristics (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
SMALL - SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
SYMBOL  
Cobo  
MIN  
MIN  
MAX  
8
UNIT  
pF  
( VCB = 10 Vdc, IE = 0, 100kHz £ f £ 1 MHz )  
Input Capacitance  
Cibo  
25  
pF  
( VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, 100kHz £ f £ 1 MHz )  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn - On Time  
SYMBOL  
ton  
MAX  
UNIT  
( VCC = 30 Vdc, IC = 150 mAdc,  
IB1 =15 mAdc)  
Turn - Off Time  
( See FIGURE 1 )  
35  
ns  
ns  
toff  
( VCC = 30 Vdc, IC = 150 mAdc,  
IB1 = - IB2 = 15 mAdc) ( See FIGURE 2 )  
300  
Small - Signal AC Characteristics (T = 25°C)  
A
LOW FREQUENCY  
SYMBOL  
hfe  
MIN  
50  
MAX  
UNIT  
Common - Emitter Forward Current Transfer Ratio  
(IC = 1 mA, VCE = 10 V, f = 1kHz)  
HIGH FREQUENCY  
Common - Emitter Forward Current Transfer Ratio  
(IC = 20 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz)  
|hfe|  
2.5  
* 1  
S p i c e M o d e l (based upon typical device characteristics)  
Q2N2222A NPN ( IS = 19.34n XT = 3.0  
+ NE = 1.647 IKF = 3.0  
EG = 1.11  
NK = 0.3052  
RC = 0.3567  
VAF=250.3  
XTB = 1.5  
CJC = 11.02p  
BF = 163.8  
BR = 11.49  
VJC = 0.3869 MJC = 0.3292  
ISE =174.3f  
ISC = 19.9f  
+ NC = 1.88  
+ FC = 0.5  
IKR = 10.75  
CJE = 29.31p VJE = 0.9036  
VTF=10 )  
MJE = 0.4101 TR = 38.32n TF =361.8p  
+ ITF = 5.282 XTF = 249.9  
*1. Microsemi Corp. claims no responsibility for misapplication of Spice Model information. Spice modeling should be  
used as a precursor guide to in-circuit performance. Actual performance is the responsibility of the user/designer.  
MSCO275A 01-29-98  
DSW2N2222A < - > ( 33807)  
2N2222A  
L
TO 18 CASE OUTLINE  
19.8 MIL TYP  
SQUARE  
DIE CHARACTERISTICS  
Back is Collector  
(B)  
Chip Thickness is:  
10 MILS TYP  
(E)  
Metalization is:  
Top = Al, Back = Au  
DIE OUTLINE  
MSC0275A 11-10-97  
DSW2N2222A < - > ( 33807)  
2N2222A  
FIGURE 1 Saturated Turn-on Time Test Circuit  
FIGURE 2 Saturated Turn-off Time Test Circuit  
MSC0275A 11-10-97  
DSW2N2222A < - > ( 33807)  
2N2222A  
DC CURRENT GAIN  
TJ = 25 C VCE = 10 V  
250  
200  
150  
100  
50  
250  
200  
150  
100  
50  
typ  
0
0
-4  
-3  
-2  
-1  
0
10  
10  
10  
10  
10  
IC COLLECTOR CURRENT (A)  
FIGURE 3  
COLLECTOR SATURATION vs BASE CURRENT  
TJ = 25 C  
1.0  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
IC = 10 mA  
IC = 150 mA  
IC = 500 mA  
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
10  
10  
10  
10  
10  
10IB, BASE CURRENT (A)  
FIGURE 4  
MSC0275A 11-10-97  
DSW2N2222A < - > ( 33807)  
2N2222A  
BASE SATURATION vs BASE CURRENT  
TJ = 25 C  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
IC = 500 mA  
IC = 150 mA  
IC = 10 mA  
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
10  
10  
10  
10  
10  
10  
IB, BASE CURRENT (A)  
FIGURE 5  
JUNCTION CAPACITANCE  
TJ = 25 C 100 kHz < f < 1 MHz  
30  
25  
20  
15  
10  
5
CIBO  
COBO  
0
.1  
1
10  
100  
REVERSE JUNCTION VOLTAGE (V)  
FIGURE 6  
MSC0275A 11-10-97  
DSW2N2222A < - > ( 33807)  
2N2222A  
SMALL SIGNAL CURENT GAIN vs COLLECTOR CURRENT  
TJ = 25 C VCE = 10 V f = 1kHz  
250  
200  
150  
100  
250  
200  
150  
100  
typ.  
.1  
1
10  
100  
COLLECTOR CURRENT (mA)  
FIGURE 7  
HIGH FREQUENCY GAIN  
TJ = 25 C VCE = 20 V f = 100 MHz  
5
4
3
2
1
0
5
4
3
2
1
0
typ.  
1
10  
100  
COLLECTOR CURRENT (mA)  
FIGURE 8  
MSC0275A 11-10-97  
DSW2N2222A < - > ( 33807)  
2N2222A  
GAIN vs FREQUENCY  
TJ = 25 C IC = 20 mA VCE = 20 V  
40  
30  
20  
10  
0
40  
30  
20  
10  
0
typ.  
10  
100  
1000  
FREQUENCY (MHz)  
FIGURE 9  
MSC0275A 11-10-97  
DSW2N2222A < - > ( 33807)  
配单直通车
JANTXV2N2222A产品参数
型号:JANTXV2N2222A
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.01
最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1
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