JANTXV2N3019产品参数

品牌：Microsemi Corporation

描述：TRANS NPN 80V 1A

详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5

制造商：Microsemi Corporation

系列：军用，MIL-PRF-19500/391

包装：散装

零件状态：在售

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 500mA，10V

功率 - 最大值：800mW

频率 - 跃迁：-

工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐

供应商器件封装：TO-5

标准包装：1

其它名称：1086-3069 1086-3069-MIL

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）