JANTXV2N6766产品参数

品牌：Microsemi Corporation

描述：MOSFET N-CH

详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3

制造商：Microsemi Corporation

系列：军用，MIL-PRF-19500/543

包装：散装

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：115nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：4W（Ta），150W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3

封装/外壳：TO-204AE

标准包装：1

其它名称：JANTXV2N6766-MIL