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JANTXV2N6782产品参数
型号:JANTXV2N6782
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTERSIL CORP
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.12
其他特性:RADIATION HARDENED
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):25 pF
JEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):14 A
认证状态:Not Qualified
参考标准:MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装:NO
端子面层:NOT SPECIFIED
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):45 ns
最大开启时间(吨):40 ns
Base Number Matches:1
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