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JANTXV2N6845产品参数
型号:JANTXV2N6845
生命周期:Active
零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.71
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):115 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:0.69 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/563
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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