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JANTXV2N6849产品参数

品牌:Microsemi Corporation

描述:MOSFET P-CH 100V 6.5A

详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)

制造商:Microsemi Corporation

系列:军用,MIL-PRF-19500/564

包装:散装

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):320 毫欧 @ 6.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):34.8nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):800mW(Ta),25W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-205AF(TO-39)

封装/外壳:TO-205AF 金属罐

标准包装:1

其它名称:JANTXV2N6849-MIL

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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