JS28F256M29EWHA芯片概述
JS28F256M29EWHA是一款由著名半导体制造公司开发的NAND闪存芯片。该芯片专为高性能存储解决方案设计,主要用于嵌入式系统、消费电子产品以及数据存储设备。JS28F256M29EWHA具有较大的存储容量和较高的数据读写速度,满足了现代电子产品对存储性能的日益增长的需求。
该芯片一般被用于手机、平板电脑、SSD和各种工业级应用。由于其读写耐久性和低功耗特性,JS28F256M29EWHA在许多应用环境中表现出色,并且可以支持多种存储模式和数据接口,具有广泛的适应性。
详细参数
JS28F256M29EWHA芯片的核心参数包括:
- 存储容量:256Mb - 存储类型:NAND Flash - 工作电压:2.7V - 3.6V - 读写速度:高达 66MB/s 的序列读速 - 写入方式:单次编程和页面编程 - 块大小:128KB - 擦除单位:256KB - 数据总线宽度:8位 - 引脚数量:44引脚 - 温度范围:工业级 -40℃至 +85℃
这些参数显示了该芯片在数据传输速度、存储容量和适用环境方面的众多优势,使其在多种行业中都有着广泛的应用。
厂家、包装与封装
JS28F256M29EWHA芯片是由宏盟技术(Macronix International Co., Ltd.)生产的,宏盟技术作为一家全球领先的闪存存储制造商,提供高质量、高可靠性的NAND闪存产品。
在包装方面,JS28F256M29EWHA通常以BGA(球栅阵列)封装形式提供,这种封装形式能有效减少电路的占用空间,提高散热性能,并增强芯片的抗干扰能力。BGA封装设计能够支持高密度的电路板布局,因此在现代电子设备中应用广泛。
引脚与电路图说明
JS28F256M29EWHA拥有44个引脚,每个引脚在芯片功能上扮演着不同的角色。以下是一些关键引脚及其功能说明:
- VCC(引脚 1,2):电源输入,用于提供工作电压。 - GND(引脚 3):接地,所有电流回路的公共端。 - WE(引脚 4):写使能信号,控制写入操作的启动。 - RE(引脚 5):读使能信号,控制读取操作的启动。 - CE(引脚 6):芯片使能,控制芯片的启用和关闭状态。 - I/O0 - I/O7(引脚 7-14):数据线,用于输入和输出数据。
引脚的设计使得芯片能与主控器(如MCU或FPGA)进行高效的数据交换,简化了系统设计与布局。
电路图中,JS28F256M29EWHA的连接通常包括与主控器的单线/双线接口配置,电源及地连接,以及其他外围电路的辅助设计。这样可以确保数据的稳定传输和可靠的电源支持,避免因干扰造成的存储数据错误。
使用案例
JS28F256M29EWHA芯片在多个应用领域表现出色,其中一些典型的使用案例包括:
1. 智能手机与平板电脑:在这些设备中,NAND闪存芯片通常用于存储操作系统、应用程序和用户数据。JS28F256M29EWHA凭借其高速读写性能,能够迅速加载应用程序和文件,改善用户体验。
2. 固态硬盘(SSD):SSD利用NAND闪存作为存储介质,以替代传统硬盘。JS28F256M29EWHA的高耐久性和快速写入能力使其成为SSD设计中理想的选择,能够支持高效的数据存取。
3. 工业自动化:在工业应用中,JS28F256M29EWHA芯片被广泛用于数据记录、控制系统中,以可靠的存储解决方案保证设备的正常运行。
4. 物联网(IoT)设备:由于物联网设备需要高效且低功耗的存储解决方案,JS28F256M29EWHA在智能传感器、无线网络模块中得到了极大的应用。这使得这些设备在不断变化的网络环境中能够高效地存储和处理数据。
在以上应用中,JS28F256M29EWHA展现出了良好的稳定性和优越的性能,满足了现代存储需求的多样性。同时,随着技术的发展,NAND闪存技术也在不断进步,JS28F256M29EWHA作为先进的存储解决方案之一,其应用前景将会更加广阔。
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型号: | JS28F256M29EWHA |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | MICRON TECHNOLOGY INC |
零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSSOP, TSSOP56,.8,20 |
针数: | 56 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 7.98 |
最长访问时间: | 110 ns |
备用内存宽度: | 8 |
命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 |
JESD-609代码: | e3 |
长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 256 |
端子数量: | 56 |
字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 16MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP56,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 16/32 words |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 128K |
最大待机电流: | 0.00021 A |
子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.031 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE |
宽度: | 14 mm |
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