一、芯片概述
JS28F512P30TFA是一款由杰华特(GigaDevice)公司生产的高性能NAND闪存芯片,广泛应用于各种电子设备中,如智能手机、平板电脑、存储卡、嵌入式系统等。该芯片具有512Mb的存储容量,采用先进的工艺技术,能够在保证数据安全性和读写速度的前提下,提供稳定的性能表现。
二、详细参数
JS28F512P30TFA的主要参数如表所示:
| 参数 | 值 | |--------------------------|---------------------| | 类型 | NAND Flash | | 存储容量 | 512Mb | | 工作电压范围 | 2.7V - 3.6V | | 存储架构 | SLC (Single Level Cell)| | 读速率 | 可达 40MB/s | | 写速率 | 可达 20MB/s | | 封装类型 | TFBGA | | 尺寸 | 8mm x 6mm | | 引脚数 | 48 | | 可靠性 | 100,000次擦写 | | 温度范围 | -40°C 到 85°C |
JS28F512P30TFA的结构设计考虑了低功耗和高效率的需求,在读取速度和写入效率上都表现出色,使其特别适合对存储性能有较高要求的应用场景。
三、厂家、包装、封装
JS28F512P30TFA由杰华特(GigaDevice)公司制造。该公司成立于2005年,以高性能、高可靠性的存储器产品闻名。JS28F512P30TFA采用TFBGA(微型球栅阵列)封装,具有占用空间小、散热性能好等优点,适合高密度的电路板设计。
在包装方面,该芯片通常以散装或托盘形式销售,以适应不同客户的生产需求。杰华特提供灵活的订购选项,方便客户进行小批量或大批量的采购。
四、引脚和电路图说明
JS28F512P30TFA的引脚排列如图所示。该芯片拥有48个引脚,主要功能包括数据输入输出、地址线、控制信号等。以下是各引脚的简要说明:
1. D0-D7: 数据输入输出引脚,用于传输数据。 2. A0-A20: 地址引脚,用于确定访问的存储单元。 3. WE: 写使能信号,引脚为低电平时允许写入数据。 4. RE: 读使能信号,引脚为低电平时允许读取数据。 5. CE: 芯片使能信号,使能状态为低电平时芯片工作。 6. ALE: 地址锁存使能引脚,用于锁存地址。 7. CLE: 命令锁存使能引脚,用于锁存命令。
五、使用案例
JS28F512P30TFA的应用范围广泛,由于其高可靠性和优良的存储性能,适用于各种嵌入式系统、消费电子产品等。以下是一些具体的使用案例:
1. 智能手机和平板电脑: 在移动设备中,JS28F512P30TFA可以作为主存储器,通常与其他芯片(如应用处理器)配合工作,实现高效的数据存储和快速的文件访问。其高读写速度使得多媒体文件的读取和应用程序的加载更加流畅。
2. 数字相机: 在数字相机中,JS28F512P30TFA可用于照片和视频数据的存储。由于其可靠的数据保护特性,可以有效防止在拍摄过程中数据的丢失。
3. 嵌入式系统: 在诸如智能家居、工业控制等各种嵌入式应用中,JS28F512P30TFA可用作程序存储器和数据存储器,支持快速的启动和执行。
4. 汽车电子: 在汽车电子系统中,JS28F512P30TFA可用于存储导航数据、车载娱乐系统数据等。其耐高温特性以及稳定的性能在这些应用中显得尤为重要。
5. 物联网设备: 在IoT设备中,JS28F512P30TFA作为数据存储解决方案,以小巧的封装形式适应了空间受限的设计要求。它能够在高温环境下可靠工作,满足各种智能传感器和设备的数据处理需求。
JS28F512P30TFA以其卓越的性能和灵活性,成为了当今市场上备受青睐的闪存解决方案,适应了多样化的应用需求。随着技术的发展和应用场景的不断扩展,该芯片的使用场景必将更加广泛。
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型号: | JS28F512P30TFA |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSSOP, TSSOP56,.8,20 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.77 |
最长访问时间: | 110 ns |
其他特性: | TOP BOOT |
启动块: | TOP |
命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 |
JESD-609代码: | e3 |
长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 4,511 |
端子数量: | 56 |
字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP56,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 16 words |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8,1.8/3.3 V |
编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,64K |
最大待机电流: | 0.000225 A |
子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.031 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE |
宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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