JTDB75芯片引脚定义引脚图及功能IC贸易商引脚图技术参数-中国IC网-芯三七

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北京元坤伟业科技有限公司
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深圳市芯福林电子有限公司
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深圳市汇满鑫电子科技有限公司
JTDB75

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深圳市科宏特电子有限公司
JTDB75

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深圳市科雨电子有限公司
JTDB75

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深圳市正纳电子有限公司
JTDB75

数量5000
厂家MICROSEMI/美高森美
封装55AW
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JTDB 75

75 Watts, 36 Volts, Pulsed

Avionics 960 - 1215 MHz

GENERAL DESCRIPTION

CASE OUTLINE

55AW, STYLE 1

The JTDB 75 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is

designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The

device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven

highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for

broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction

temperature, extends life.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Maximum Power Dissipation @ 25^oC²

220 Watts

Maximum Voltage and Current

BVces Collector to Base Voltage

BVebo Emitter to Base Voltage

55 Volts

3.5 Volts

8.0 Amps

Collector Current

Maximum Temperatures

Storage Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to + 200^oC

+ 200^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 ^OC

SYMBOL

CHARACTERISTICS

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX UNITS

Power Out

Power Input

Power Gain

Collector Efficiency

Load Mismatch Tolerance

F = 960-1215 MHz

Vcc = 36 Volts

Watts

Pout

7.0

7.5

PW = 10 sec

DF = 40%

F = 1090 MHz

3:1

VSWR

Emitter to Base Breakdown

Collector to Emitter Breakdown

DC - Current Gain

Ie = 30mA

Ic = 30 mA

Ic = 25 mA, Vce = 5 V

3.5

Volts

BVebo

BVces

h_FE

^oC/W

Thermal Resistance

0.8

Note 1: At rated output power and pulse conditions

2: At rated pulse conditions

Issue A, July 1997

GHz TECHNOLOGY INC. RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE. GHz RECOMMENDS THAT BEFORE

THE PRODUCT(S) DESCRIBED HEREIN ARE WRITTEN INTO SPECIFICATIONS, OR USED IN CRITICAL APPLICATIONS, THAT THE

PERFORMANCE CHARACTERISTICS BE VERIFIED BY CONTACTING THE FACTORY.

GHz Technology Inc. 3000 Oakmead Village Drive, Santa Clara, CA 95051-0808 Tel. 408 / 986-8031 Fax 408 / 986-8120

JTDB 75

All Data shown is for operation under the rated pulse conditions.

July 1997

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PRODUCT(S) DESCRIBED HEREIN ARE WRITTEN INTO SPECIFICATIONS, OR USED IN CRITICAL APPLICATIONS, THAT THE PERFORMANCE

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JTDB75产品参数

型号:	JTDB75
生命周期：	Transferred
IHS 制造商：	ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	8 A
配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1
端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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