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K4S511633F-YL1H产品参数
型号:K4S511633F-YL1H
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92
最长访问时间:7 ns
最大时钟频率 (fCLK):111 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:S-PBGA-B54
JESD-609代码:e0
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
端子数量:54
字数:33554432 words
字数代码:32000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:32MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.28 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
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