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K4T51163QQ-BIF70产品参数
型号:K4T51163QQ-BIF70
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:VFBGA,
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.71
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B84
长度:12.5 mm
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:84
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS
组织:32MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度:1 mm
自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:7.5 mm
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