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K9K1208D0C-GCB00产品参数
型号:K9K1208D0C-GCB00
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:BGA
包装说明:9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
针数:63
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.87
Is Samacsys:N
最长访问时间:30 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B63
长度:11 mm
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:4K
端子数量:63
字数:67108864 words
字数代码:64000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小:512 words
并行/串行:PARALLEL
电源:2.65 V
编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):2.9 V
最小供电电压 (Vsup):2.4 V
标称供电电压 (Vsup):2.65 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
切换位:NO
类型:NAND TYPE
宽度:9 mm
Base Number Matches:1
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