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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装SOJ-贴片 
  • 批号▉▉:2年内 
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KM416C254BJ-L7产品参数
型号:KM416C254BJ-L7
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ40,.44
针数:40
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.89
访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J40
JESD-609代码:e0
长度:26.04 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:40
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ40,.44
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:512
座面最大高度:3.76 mm
自我刷新:YES
最大待机电流:0.00015 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mm
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