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KMB16S产品参数
型号:KMB16S
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
包装说明:R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73
其他特性:LOW POWER LOSS
最小击穿电压:60 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流:30 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:60 V
表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY
端子面层:Pure Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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