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K1S1616B1A-FI70产品参数
型号:K1S1616B1A-FI70
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:VFBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0
长度:7 mm
内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端子数量:48
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:1MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:1.8/2 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm
最小待机电流:1.7 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):2.1 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:6 mm
Base Number Matches:1
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