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| 型号: | K20160B1EB1S |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | MICROSEMI CORP |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.91 |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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