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型号: | K3S6V2000M-TC15 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSSOP86,.46,20 |
针数: | 86 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 10 ns |
备用内存宽度: | 16 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G86 |
JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22.22 mm |
内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | MASK ROM |
内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 86 |
字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 1MX32 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSSOP86,.46,20 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | MASK ROMs |
最大压摆率: | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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