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  • K4B1G0446G-BCK0图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • K4B1G0446G-BCK0
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  • 厂家SAMSUNG 
  • 封装FBGA 
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K4B1G0446G-BCMA0产品参数
型号:K4B1G0446G-BCMA0
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA78,9X13,32
针数:78
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.84
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.195 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):933 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B78
长度:11 mm
内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:78
字数:268435456 words
字数代码:256000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:256MX4
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA78,9X13,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:4,8
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.135 mA
最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V
标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1
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