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型号: | K4B2G0446C-HCF80 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA78,9X13,32 |
针数: | 78 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.69 |
Is Samacsys: | N |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.3 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 533 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B78 |
JESD-609代码: | e1 |
长度: | 11 mm |
内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 4 |
湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 |
端子数量: | 78 |
字数: | 536870912 words |
字数代码: | 512000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 512MX4 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA78,9X13,32 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 8 |
最大待机电流: | 0.012 A |
子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.16 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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