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K4D26323RA-GC33产品参数
型号:K4D26323RA-GC33
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:BGA
包装说明:LFBGA, BGA144,12X12,32
针数:144
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):300 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:S-PBGA-B144
JESD-609代码:e0
长度:12 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:144
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:65 °C
最低工作温度:
组织:4MX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA144,12X12,32
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.8 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
座面最大高度:1.4 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8,FP
最大待机电流:0.08 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:1.08 mA
最大供电电压 (Vsup):2.94 V
最小供电电压 (Vsup):2.66 V
标称供电电压 (Vsup):2.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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