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K4H560838F-UCCC产品参数
型号:K4H560838F-UCCC
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.24
Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
端子数量:66
字数:33554432 words
字数代码:32000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32MX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.6 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.004 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.31 mA
标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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