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型号: | K4H561638F-UCCC |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
包装说明: | TSSOP, TSSOP66,.46 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.79 |
Is Samacsys: | N |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 |
内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 |
端子数量: | 66 |
字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 16MX16 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP66,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.6 V |
认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 |
连续突发长度: | 2,4,8 |
子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.38 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 2.6 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
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