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K4M28163LH-RG75产品参数
型号:K4M28163LH-RG75
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:S-PBGA-B54
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:1
端子数量:54
字数:8388608 words
字数代码:8000000
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:8MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.13 mA
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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