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  • K4R571669E-GCK8图
  • 深圳市科雨电子有限公司

     该会员已使用本站8年以上
  • K4R571669E-GCK8
  • 数量56300 
  • 厂家SAMSUNG 
  • 封装FBGA84 
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K4R571669E-GCK80产品参数
型号:K4R571669E-GCK80
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA,
针数:84
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84
访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性:SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B84
JESD-609代码:e1
长度:13.5 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:RAMBUS DRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:2
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:84
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS
组织:16MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm
自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.37 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:9.3 mm
Base Number Matches:1
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