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K4R881869M-NCK8产品参数
型号:K4R881869M-NCK8
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA, BGA92,10X18,32
针数:92
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.92
访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间:45 ns
其他特性:SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):800 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B92
JESD-609代码:e0
长度:17.5 mm
内存密度:301989888 bit
内存集成电路类型:RAMBUS DRAM
内存宽度:18
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:92
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS
组织:16MX18
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA92,10X18,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8/2.5,2.5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm
自我刷新:YES
子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.37 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.5 mm
Base Number Matches:1
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