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  • K4S51323LF-EL-75图
  • 八零友创集团

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  • K4S51323LF-EL-75 现货库存
  • 数量685600 
  • 厂家SAMSUNG 
  • 封装BGA 
  • 批号22+ 
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  • QQ:2880720332QQ:2880720334
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  • K4S51323LF-EL-75图
  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • K4S51323LF-EL-75
  • 数量50 
  • 厂家SAMSONG 
  • 封装BGA 
  • 批号0942+ 
  • 原装现货 专业集成电路,二三极管供应商
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  • K4S51323LF-EL-75图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • K4S51323LF-EL-75
  • 数量30109 
  • 厂家SAMSONG 
  • 封装BGA 
  • 批号2023+ 
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配单直通车
K4S51323LF-EL1H产品参数
型号:K4S51323LF-EL1H
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75
最长访问时间:7 ns
最大时钟频率 (fCLK):111 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B90
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32
端子数量:90
字数:16777216 words
字数代码:16000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:16MX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA90,9X15,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.28 mA
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1
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