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| 型号: | K4S641632B-TC80M0 |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | TSOP, TSOP54,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 125 MHz |
| I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 54 |
| 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.145 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
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