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K4W1G1646E-HC12产品参数
型号:K4W1G1646E-HC12
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:FBGA, BGA96,9X16,32
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
最长访问时间:0.225 ns
最大时钟频率 (fCLK):800 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B96
内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
端子数量:96
字数:67108864 words
字数代码:64000000
组织:64MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA96,9X16,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:1.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.01 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.29 mA
标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
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