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  • K4W1G1646G-HC08图
  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • K4W1G1646G-HC08
  • 数量33509 
  • 厂家SAMSUNG/三星 
  • 封装BGA 
  • 批号23+ 
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  • QQ:GTY82dX7
  • 13510200925【柯R QQ:GTY82dX7
配单直通车
K4W2G1646B-HC12产品参数
型号:K4W2G1646B-HC12
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:FBGA, BGA96,9X16,32
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.81
最长访问时间:0.225 ns
最大时钟频率 (fCLK):800 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:8
JESD-30 代码:R-PBGA-B96
JESD-609代码:e3
内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:CACHE DRAM MODULE
内存宽度:16
湿度敏感等级:1
端子数量:96
字数:134217728 words
字数代码:128000000
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:128MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA96,9X16,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:1.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
连续突发长度:8
最大待机电流:0.012 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.355 mA
标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:MATTE TIN
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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