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  • K5A3280YBC-T755图
  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

     该会员已使用本站3年以上
  • K5A3280YBC-T755
  • 数量24930 
  • 厂家SAMSUNG/三星 
  • 封装BGA 
  • 批号23+ 
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  • 13510200925【柯R QQ:GTY82dX7
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K5A3280YBC-T755产品参数
型号:K5A3280YBC-T755
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:FBGA, BGA69,10X10,32
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:S-PBGA-B69
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
混合内存类型:FLASH+SRAM
端子数量:69
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA69,10X10,32
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000015 A
子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.05 mA
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1
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