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  • K5L5628JTM-DH18图
  • 八零友创集团

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  • K5L5628JTM-DH18 现货库存
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  • K5L5628JTM-DH18图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • K5L5628JTM-DH18
  • 数量8829 
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  • 封装BGA 
  • 批号2023+ 
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  • K5L5628JTM-DH18000图
  • 上海振基实业有限公司

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  • K5L5628JTM-DH18000
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  • 厂家SamSung 
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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 厂家SAMSUNG/三星 
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K5L5628JTM-DH18产品参数
型号:K5L5628JTM-DH18
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:FBGA, BGA115,10X14,32
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
最长访问时间:88.5 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B115
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
混合内存类型:FLASH+PSRAM
端子数量:115
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA115,10X14,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:1.8,2.5 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00007 A
子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.07 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1
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