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K6R1008C1D-UI10产品参数
型号:K6R1008C1D-UI10
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP32,.46
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
最长访问时间:10 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e1
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.075 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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