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K6R1008V1D-TC08产品参数
型号:K6R1008V1D-TC08
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.88
Is Samacsys:N
最长访问时间:8 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
长度:20.95 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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