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| 型号: | K6R1016V1D-UI10 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | TSOP, TSOP44,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.25 |
| 最长访问时间： | 10 ns |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 44 |
| 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A |
| 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.075 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
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