K6R4008V1D-JI10芯片概述
K6R4008V1D-JI10是一款由南韩的三星电子公司(Samsung Electronics)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。它属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)的类别,广泛应用于各种电子设备中,包括计算机主板、图形卡、消费电子产品等。此芯片以其高性能和高密度特性而闻名,能够满足现代计算需求。
芯片详细参数
K6R4008V1D-JI10的基本参数如下:
- 类型:SDRAM - 容量:4M x 8位(即32M位) - 内部结构:该芯片为多层存储结构,通常采用256K x 4位的结构来实现存储。 - 工作电压:2.5V(±0.2V) - 引脚数:如同其他DRAM,K6R4008V1D-JI10的引脚数通常为44个。 - 工作频率:标准工作频率为133MHz。 - 数据传输速率:该芯片的数据传输速率能够达到一个相对较高的水平,通常在1.0GB/s到1.6GB/s之间。
上述参数表明,K6R4008V1D-JI10是一款高性能的DRAM芯片,适用于要求较高数据传输速率的应用场合。
厂家、包装与封装
K6R4008V1D-JI10的生产厂家为三星电子,这是全球领先的半导体制造商之一。该公司的产品以质量和可靠性著称。芯片的包装通常为SOP(小外形无引脚封装)形式,也有可能采用TSOP(薄外形小外形封装),具体取决于应用需求和客户要求。这些封装形式有助于减小线路板的占用空间,从而提高电子设备的密度和性能。
引脚和电路图说明
K6R4008V1D-JI10的引脚功能配置如下:
1. VDD:电源引脚,通常连接至2.5V的电压源。 2. VSS:地引脚,用于提供电路的接地连接。 3. DQ0-DQ7:数据引脚,分别用于数据的输入和输出。 4. CAS:列地址选择,控制对特定列的读写操作。 5. RAS:行地址选择,控制对特定行的读写操作。 6. WE:写使能信号,用于指示何时进行写操作。 7. CS:片选信号,指示该芯片是否被选中进行读写操作。 8. CLK:时钟信号,引导同步存取操作。
需要利用逻辑图才能更全面地理解这些引脚之间的关系和信号流动。典型的电路图应该展示此芯片是如何与外部控制器进行连接的,包括如何与处理器、其他存储器和外设进行协同工作。
使用案例
K6R4008V1D-JI10在许多领域得到了广泛的应用。下面列举几个具体的应用案例:
1. 个人计算机:在个人计算机主板上,K6R4008V1D-JI10常作为内存模块使用,支持操作系统和应用程序的运行,提升系统响应速度和多任务处理能力。
2. 嵌入式系统:在许多嵌入式设备之中,如路由器、智能家居设备等,K6R4008V1D-JI10被用来作为临时缓存存储,支持数据处理和实时响应。
3. 游戏机:随着计算能力要求的不断增加,K6R4008V1D-JI10也被广泛应用于各种游戏机中,支持复杂的游戏画面和高效的图形渲染。
4. 图形工作站:在专业的图形工作站中,K6R4008V1D-JI10被用于支持高性能图像处理软件,为设计师提供必要的空间和速度。
5. 工业控制系统:在自动化和控制系统中,K6R4008V1D-JI10用于存储控制数据和指令,以确保系统的稳定运行。
随着科技的不断进步,以及对存储需求的不断提升,K6R4008V1D-JI10的应用领域也在不断扩大。其高性能和低功耗的特性为各种电子设备的设计提供了极大的灵活性与可能性。
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型号: | K6R4008V1D-JI10 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 |
针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.87 |
Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 10 ns |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J36 |
JESD-609代码: | e0 |
长度: | 23.5 mm |
内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 36 |
字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ36,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.76 mm |
最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.075 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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