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  • K6T1008C2E-DL55图
  • 八零友创集团

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  • K6T1008C2E-DL55 现货库存
  • 数量685600 
  • 厂家SAMSUNG 
  • 封装DIP 
  • 批号22+ 
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  • QQ:2880720332QQ:2880720334
  • 0755-88601790 QQ:2880720332QQ:2880720334
  • K6T1008C2E-DL55000图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • K6T1008C2E-DL55000
  • 数量28000 
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  • K6T1008C2E-DL55图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • K6T1008C2E-DL55
  • 数量9800 
  • 厂家SAMSUNG 
  • 封装DIP-32 
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  • QQ:97877810
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K6T1008C2E-DL55产品参数
型号:K6T1008C2E-DL55
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP32,.6
针数:32
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32
长度:41.91 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1
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