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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市潮南大宇电子有限公司

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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 深圳市赛矽电子有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 深圳市恒嘉威智能科技有限公司

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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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产品型号K6T1008C2E-DB70的概述

芯片K6T1008C2E-DB70概述 K6T1008C2E-DB70是一款由韩国三星电子(Samsung Electronics)公司生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片主要用于各种电子设备中,为系统提供高效的存储解决方案。作为一种高性能的存储器,K6T1008C2E-DB70在便携...
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K6T1008C2E-DB70产品参数
型号:K6T1008C2E-DB70
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, DIP-32
针数:32
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82
Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32
长度:41.91 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1
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