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型号: | K6T1008C2E-DB70 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, DIP-32 |
针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
长度: | 41.91 mm |
内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm |
最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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